NTR3161NT3G onsemi | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.3 nC @ 4.5 V
包装散装	Vgs（最大值） ±8V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 540 pF @ 10 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 820mW（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 20 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Ta）	供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V	封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 50 毫欧 @ 3.3A，4.5V

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