Name: NTMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 31.92 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

NTMFS3D6N10MCLT1G
DigiKey 零件编号	488-NTMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NTMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - 剪切带（CT） 488-NTMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMFS3D6N10MCLT1G
描述	MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
原厂标准交货期	52 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 19.5A（Ta），131A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMFS3D6N10MCLT1G 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 270µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 60 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4411 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），136W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19.5A（Ta），131A（Tc）	供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.6 毫欧 @ 48A，10V	基本产品编号 NTMFS3