Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 38.62 CNY
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKey 零件编号	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - 剪切带（CT） 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMFS3D2N10MDT1G
描述	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
原厂标准交货期	48 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 19A（Ta），142A（Tc） 2.8W（Ta），155W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMFS3D2N10MDT1G 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 316µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 71.3 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3900 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），155W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Ta），142A（Tc）	供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.5 毫欧 @ 50A，10V	基本产品编号 NTMFS3

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数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
1,500	¥12.60039	¥18,900.59

制造商标准包装

NTMFS3D2N10MDT1G