Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 25.53 CNY
Availability: InStock

NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKey 零件编号	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - 剪切带（CT）
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMFS3D2N10MDT1G
描述	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 19A（Ta），142A（Tc） 2.8W（Ta），155W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMFS3D2N10MDT1G 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	19A（Ta），142A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 316µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	71.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3900 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），155W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线