HUF75652G3 没有现货,但可以进行缺货下单。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 475 nC @ 20 V |
系列 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7585 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 515W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 100 V | 供应商器件封装 TO-247-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 75A,10V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10M19BVRG | Microchip Technology | 16 | APT10M19BVRG-ND | ¥12.17000 | 类似 |
| APT10M25BVRG | Microchip Technology | 0 | APT10M25BVRG-ND | ¥9.89000 | 类似 |
| IXFH75N10 | IXYS | 0 | IXFH75N10-ND | ¥6.98867 | 类似 |
| IXFR180N10 | IXYS | 0 | IXFR180N10-ND | ¥13.56733 | 类似 |
| IXTH130N10T | IXYS | 0 | IXTH130N10T-ND | ¥9.05000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥88.24000 | ¥88.24 |
| 30 | ¥52.50333 | ¥1,575.10 |
| 120 | ¥44.65933 | ¥5,359.12 |
| 510 | ¥41.44192 | ¥21,135.38 |








