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FQPF10N50CF 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 56 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2096 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 48W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 500 V | 供应商器件封装 TO-220F-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 610 毫欧 @ 5A，10V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQPF13N50CF | onsemi | 1,021 | FQPF13N50CF-ND | ¥33.33000 | MFR Recommended |
| STF11NM50N | STMicroelectronics | 0 | 497-12566-5-ND | ¥33.74000 | 类似 |
| STF13NK50Z | STMicroelectronics | 1,685 | 497-STF13NK50Z-ND | ¥23.65000 | 类似 |
| TK9A45D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 50 | TK9A45D(STA4QM)-ND | ¥19.93000 | 类似 |
