Name: FQD2N60CTM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N60CTMTR-ND
Price: 11.58 CNY
Availability: InStock

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FQD2N60CTM
DigiKey 零件编号	FQD2N60CTMTR-ND - 卷带（TR） FQD2N60CTMCT-ND - 剪切带（CT） FQD2N60CTMDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FQD2N60CTM
描述	MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12 nC @ 10 V
系列 QFET®	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 235 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），44W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FQD2N60
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 欧姆 @ 950mA，10V