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FQD2N60CTM-WS 已经过时且不再制造。
可用替代品:
参数等效
类似
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
FQD2N60CTM-WS | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | FQD2N60CTM-WSTR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | FQD2N60CTM-WS |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | FQD2N60CTM-WS 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 235 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），44W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
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替代品 (9)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N60CTM | onsemi | 4,686 | FQD2N60CTMCT-ND | ¥11.58000 | 参数等效 |
| AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 34,999 | 785-1180-1-ND | ¥10.01000 | 类似 |
| AOD2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2,357 | 785-1663-1-ND | ¥10.01000 | 类似 |
| IRFRC20PBF | Vishay Siliconix | 3,449 | IRFRC20PBF-ND | ¥22.41000 | 类似 |
| IRFRC20TRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFRC20TRLPBFCT-ND | ¥22.41000 | 类似 |
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