FQB50N06TM 已经过时且不再制造。
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单价: ¥18.44000
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现货: 12,849
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单价: ¥30.85000
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现货: 278
单价: ¥35.73000
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IRLZ44STRRPBF
Vishay Siliconix
现货: 21
单价: ¥35.73000
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现货: 75
单价: ¥33.99000
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PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
现货: 5,986
单价: ¥18.03000
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Vishay Siliconix
现货: 0
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Vishay Siliconix
现货: 1,000
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现货: 0
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表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2PAK）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2PAK）
TO-263

FQB50N06TM

DigiKey 零件编号
FQB50N06TMFSTR-ND - 卷带（TR）
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQB50N06TM
描述
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2PAK）
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
系列
Vgs（最大值）
±25V
包装
卷带（TR）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1540 pF @ 25 V
零件状态
停产
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），120W（Tc）
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压（Vdss）
60 V
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 25A，10V
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零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
HUF75545S3STonsemi555HUF75545S3STCT-ND¥31.26000类似
IRFS3806TRLPBFInfineon Technologies8,522IRFS3806TRLPBFCT-ND¥18.44000类似
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