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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
FDP86363-F085 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | FDP86363-F085-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FDP86363-F085 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 80 V 110A（Tc） 300W（Tc） TO-220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | FDP86363-F085 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 150 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10000 pF @ 40 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 300W（Tc） |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 80 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-220-3 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 毫欧 @ 80A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
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替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H800NT1G | onsemi | 11,566 | NVMFS6H800NT1GOSCT-ND | ¥52.68000 | MFR Recommended |
| IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | 8,083 | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND | ¥68.97000 | 直接 |
| AOT282L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT282L-ND | ¥19.30746 | 类似 |
| TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 2,652 | TK100E10N1S1X-ND | ¥47.72000 | 类似 |
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管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.64000 | ¥35.64 |
| 50 | ¥18.33620 | ¥916.81 |
| 100 | ¥16.65830 | ¥1,665.83 |
