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FDP75N08A 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 104 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4468 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 137W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 75 V | 供应商器件封装 TO-220-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11 毫欧 @ 37.5A，10V |
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替代品 (5)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | 11,498 | 448-SPP80P06PHXKSA1-ND | ¥38.04000 | MFR Recommended |
| AOT470 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT470-ND | ¥6.55893 | 类似 |
| STP75NF75 | STMicroelectronics | 240 | 497-2788-5-ND | ¥29.69000 | 类似 |
| STP76NF75 | STMicroelectronics | 932 | 497-12619-5-ND | ¥25.14000 | 类似 |
| TK40E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 31 | TK40E06N1S1X-ND | ¥16.21000 | 类似 |
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