Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 40.88 CNY
Availability: InStock

FDMS4D0N12C
DigiKey 零件编号	FDMS4D0N12COSTR-ND - 卷带（TR） FDMS4D0N12COSCT-ND - 剪切带（CT） FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDMS4D0N12C
描述	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 120 V 18.5A（Ta），114A（Tc） 2.7W（Ta），106W（Tc） 8-PQFN（5x6）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18.5A（Ta），114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 370A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6460 pF @ 60 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.7W（Ta），106W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	FDMS4