FDD6670A onsemi | 单 FET，MOSFET

FDD6670A 已经过时且不再制造。

可用替代品:

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现货: 6,634

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现货: 93,312

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图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDD6670A
DigiKey 零件编号	FDD6670ATR-ND - 卷带（TR） FDD6670ACT-ND - 剪切带（CT）
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD6670A
描述	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Ta），66A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 22 nC @ 5 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1755 pF @ 15 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），63W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A（Ta），66A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 FDD6670
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 15A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	2,500	31-DMN3010LK3-13CT-ND	¥9.59000	类似
IPD075N03LGATMA1	Infineon Technologies	6,634	IPD075N03LGATMA1CT-ND	¥9.68000	类似
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	93,312	IPD090N03LGATMA1CT-ND	¥9.26000	类似

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