Name: FDD6637
Brand: onsemi
SKU: FDD6637TR-ND
Price: 19.27 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDD6637
DigiKey 零件编号	FDD6637TR-ND - 卷带（TR） FDD6637CT-ND - 剪切带（CT） FDD6637DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD6637
描述	MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
原厂标准交货期	22 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 35 V 13A（Ta），55A（Tc） 3.1W（Ta），57W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2370 pF @ 20 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），57W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 35 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Ta），55A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 FDD663
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11.6 毫欧 @ 14A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
NP50P04SDG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	2,486	559-NP50P04SDG-E1-AYCT-ND	¥27.29000	类似
PJD50P04_L2_00001	Panjit International Inc.	4,453	3757-PJD50P04_L2_00001CT-ND	¥10.50000	类似