FDD5N50FTF_WS onsemi | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15 nC @ 10 V
系列 UniFET™	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 650 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 40W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 500 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FDD5
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.55 欧姆 @ 1.75A，10V

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