Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 13.65 CNY
Availability: InStock

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FDD1600N10ALZ
DigiKey 零件编号	FDD1600N10ALZTR-ND - 卷带（TR） FDD1600N10ALZCT-ND - 剪切带（CT） FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD1600N10ALZ
描述	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDD1600N10ALZ 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 3.61 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 225 pF @ 50 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 14.9W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.8A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V	基本产品编号 FDD1600
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 160 毫欧 @ 3.4A，10V