Name: FDD13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD13AN06A0TR-ND
Price: 22.49 CNY
Availability: InStock

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FDD13AN06A0
DigiKey 零件编号	FDD13AN06A0TR-ND - 卷带（TR） FDD13AN06A0CT-ND - 剪切带（CT） FDD13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD13AN06A0
描述	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
原厂标准交货期	45 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDD13AN06A0 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1350 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 115W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.9A（Ta），50A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 FDD13AN06
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13.5 毫欧 @ 50A，10V

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替代品 (6)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMNH6012LK3Q-13	Diodes Incorporated	4,352	DMNH6012LK3Q-13DICT-ND	¥16.29000	类似
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STD60NF06T4	STMicroelectronics	1,126	497-6195-1-ND	¥24.73000	类似