Name: FDD13AN06A0-F085
Brand: onsemi
SKU: FDD13AN06A0-F085TR-ND
Price: 19.1 CNY
Availability: InStock

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FDD13AN06A0-F085
DigiKey 零件编号	FDD13AN06A0-F085TR-ND - 卷带（TR） FDD13AN06A0-F085CT-ND - 剪切带（CT） FDD13AN06A0-F085DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD13AN06A0-F085
描述	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
原厂标准交货期	49 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDD13AN06A0-F085 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
系列 PowerTrench®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1350 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 115W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.9A（Ta），50A（Tc）	供应商器件封装 TO-252AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13.5 毫欧 @ 50A，10V	基本产品编号 FDD13AN06
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

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替代品 (5)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD50N06S214ATMA2	Infineon Technologies	1,754	448-IPD50N06S214ATMA2CT-ND	¥22.33000	类似
IRFR3806TRPBF	Infineon Technologies	22,574	IRFR3806TRPBFCT-ND	¥16.71000	类似
NP45N06VDK-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	7,315	559-NP45N06VDK-E1-AYCT-ND	¥18.36000	类似
STD60NF06T4	STMicroelectronics	1,126	497-6195-1-ND	¥24.73000	类似
STD70N6F3	STMicroelectronics	2,197	497-12240-1-ND	¥24.73000	类似