FDA16N50LDTU onsemi | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±30V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1945 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 205W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 500 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.5A（Tc）	供应商器件封装 TO-3PN（L 型）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3，成型引线
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 380 毫欧 @ 8.3A，10V	基本产品编号 FDA16N50

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FDA16N50-F109	onsemi	448	FDA16N50-F109OS-ND	¥35.40000	MFR Recommended
IXFQ20N50P3	IXYS	283	IXFQ20N50P3-ND	¥67.24000	类似
IXTQ16N50P	IXYS	0	IXTQ16N50P-ND	¥60.12000	类似

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