Name: FCP850N80Z
Brand: onsemi
SKU: FCP850N80Z-ND
Price: 30.76 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 600µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 10 V
系列 SuperFET® II	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1315 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 136W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 800 V	供应商器件封装 TO-220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FCP850
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 850 毫欧 @ 3A，10V