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FCP165N65S3 没有现货，且当前不提供缺货下单。
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FCP165N65S3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | FCP165N65S3OS-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FCP165N65S3 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 19A（Tc） 154W（Tc） TO-220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | FCP165N65S3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 9.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1.9mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 154W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
