Name: FCD600N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: 488-FCD600N65S3R0TR-ND
Price: 22.49 CNY
Availability: InStock

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FCD600N65S3R0
DigiKey 零件编号	488-FCD600N65S3R0TR-ND - 卷带（TR） 488-FCD600N65S3R0CT-ND - 剪切带（CT） 488-FCD600N65S3R0DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FCD600N65S3R0
描述	MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 6A（Tc） 54W（Tc） TO-252（DPAK）
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 600µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 11 nC @ 10 V
系列 SuperFET® III	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 465 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 54W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-252（DPAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FCD600
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V

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卷带（TR）

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
2,500	¥6.21676	¥15,541.90
5,000	¥6.03812	¥30,190.60

制造商标准包装

FCD600N65S3R0