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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA |
制造商 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 散装 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 10 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 830mW(Ta) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 60 V | 供应商器件封装 TO-92-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 200mA,10V |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.72000 | ¥3.72 |
| 10 | ¥2.28300 | ¥22.83 |
| 100 | ¥1.44150 | ¥144.15 |
| 500 | ¥1.07724 | ¥538.62 |
| 1,000 | ¥0.95957 | ¥959.57 |
| 2,000 | ¥0.86045 | ¥1,720.90 |
| 5,000 | ¥0.75298 | ¥3,764.90 |
| 10,000 | ¥0.68650 | ¥6,865.00 |
| 50,000 | ¥0.57004 | ¥28,502.00 |
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