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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.3 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 180 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 55W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 650 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.3 欧姆 @ 1A,10V |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | onsemi | 35,873 | FDD5N60NZTMCT-ND | ¥15.71000 | 类似 |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | 624 | IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND | ¥11.66000 | 类似 |
| STD4N62K3 | STMicroelectronics | 3,318 | 497-STD4N62K3CT-ND | ¥23.40000 | 类似 |
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管件
| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥27.95000 | ¥27.95 |
| 70 | ¥13.28043 | ¥929.63 |
| 140 | ¥12.02871 | ¥1,684.02 |
| 560 | ¥10.08954 | ¥5,650.14 |
| 1,050 | ¥9.40873 | ¥9,879.17 |
| 2,030 | ¥8.80091 | ¥17,865.85 |
| 5,040 | ¥8.14181 | ¥41,034.72 |

