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IXTY1R6N100D2 没有现货，但可以进行缺货下单。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 238-IXTY1R6N100D2-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IXTY1R6N100D2 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
原厂标准交货期 | 27 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 沟道，耗尽型 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252AA |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IXTY1R6N100D2 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27 nC @ 5 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 645 pF @ 25 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 100W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
FET 类型 | 安装类型 表面贴装型 |
技术 | 供应商器件封装 TO-252AA |
漏源电压（Vdss） 1000 V | 封装/外壳 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10 欧姆 @ 800mA，0V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | ¥5.36177 | 类似 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥45.48000 | ¥45.48 |
| 70 | ¥22.62314 | ¥1,583.62 |
| 140 | ¥20.68500 | ¥2,895.90 |
| 560 | ¥17.68405 | ¥9,903.07 |
| 1,050 | ¥16.63104 | ¥17,462.59 |
| 2,030 | ¥15.71817 | ¥31,907.89 |
