通孔 N 沟道，耗尽型 1000 V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220-3
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IXTP6N100D2

DigiKey 零件编号
238-IXTP6N100D2-ND
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXTP6N100D2
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道，耗尽型 1000 V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220-3
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产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 5 V
制造商
Vgs（最大值）
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2650 pF @ 25 V
包装
管件
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型
安装类型
通孔
技术
供应商器件封装
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
1000 V
封装/外壳
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 欧姆 @ 3A，0V
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数量
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数量 单价
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总价
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1¥101.31000¥101.31
50¥57.00020¥2,850.01
100¥52.73450¥5,273.45
500¥45.45290¥22,726.45
制造商标准包装
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