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IXTH20N65X 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1390 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 320W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 TO-247（IXTH） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 210 毫欧 @ 10A，10V |
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替代品 (5)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | ¥74.68000 | MFR Recommended |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | ¥54.66000 | 类似 |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 2,117 | SPW17N80C3FKSA1-ND | ¥50.20000 | 类似 |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 84 | 497-15284-5-ND | ¥33.00000 | 类似 |
| STW23N80K5 | STMicroelectronics | 557 | 497-16331-5-ND | ¥57.89000 | 类似 |
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