IXTH10N100D 已经过时且不再制造。
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通孔 N 沟道,耗尽型 1000 V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IXTH10N100D

DigiKey 零件编号
238-IXTH10N100D-ND
制造商
制造商产品编号
IXTH10N100D
描述
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 1000 V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
规格书
 规格书
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
130 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500 pF @ 25 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
400W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
1000 V
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 10A,10V
环境与出口分类
产品问答
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