Name: IXTA1N170DHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N170DHV-ND
Price: 231.56 CNY
Availability: OutOfStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 欧姆 @ 500mA，0V
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 47 nC @ 5 V
系列 Depletion	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3090 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 290W（Tc）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 1700 V	供应商器件封装 TO-263HV
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IXTA1