表面贴装型 N 沟道,耗尽型 1000 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-263AA
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IXTA08N100D2

DigiKey 零件编号
238-IXTA08N100D2-ND
制造商
制造商产品编号
IXTA08N100D2
描述
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 沟道,耗尽型 1000 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-263AA
规格书
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产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14.6 nC @ 5 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
325 pF @ 25 V
包装
管件
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型
安装类型
表面贴装型
技术
供应商器件封装
TO-263AA
漏源电压(Vdss)
1000 V
封装/外壳
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 欧姆 @ 400mA,0V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 5,916
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥38.95000¥38.95
50¥19.99360¥999.68
100¥18.16010¥1,816.01
500¥14.94852¥7,474.26
1,000¥13.91716¥13,917.16
2,000¥13.05022¥26,100.44
5,000¥12.74406¥63,720.30
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。