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IXFH50N60X 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 4mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 116 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4660 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 660W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-247（IXTH） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 73 毫欧 @ 25A，10V |
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替代品 (10)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5,069 | 238-IXFH60N65X2-ND | ¥127.44000 | MFR Recommended |
| FCH070N60E | onsemi | 457 | FCH070N60EOS-ND | ¥74.84000 | 类似 |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 824 | 448-IPW60R070CFD7XKSA1-ND | ¥61.20000 | 类似 |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 10,080 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | ¥54.50000 | 类似 |
| SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1,000 | 742-SIHG47N65E-GE3-ND | ¥80.22000 | 类似 |
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