IXFH26N50 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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IXYS
现货: 5
单价: ¥89.73000
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IXYS
现货: 146
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Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥12.23650
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Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥64.59000
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Vishay Siliconix
现货: 477
单价: ¥42.51000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 313
单价: ¥63.35000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 391
单价: ¥78.15000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 323
单价: ¥69.05000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 556
单价: ¥73.35000
规格书
通孔 N 通道 500 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 500 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH26N50

DigiKey 零件编号
IXFH26N50-ND
制造商
制造商产品编号
IXFH26N50
描述
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 500 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 4mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
160 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4200 pF @ 25 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
500 V
供应商器件封装
TO-247AD(IXFH)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 13A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (9)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IXFH26N50PIXYS5IXFH26N50P-ND¥89.73000类似
IXFH26N50P3IXYS146238-IXFH26N50P3-ND¥88.49000类似
IPW50R250CPFKSA1Infineon Technologies0IPW50R250CPFKSA1-ND¥12.23650类似
IRFP360PBFVishay Siliconix0IRFP360PBF-ND¥64.59000类似
SIHG25N50E-GE3Vishay Siliconix477SIHG25N50E-GE3-ND¥42.51000类似
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
30¥52.29667¥1,568.90
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。