IXFH26N50 可以购买了,但通常没有现货。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4200 pF @ 25 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散(最大值) 300W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 500 V | 供应商器件封装 TO-247AD(IXFH) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 13A,10V |
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替代品 (9)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH26N50P | IXYS | 5 | IXFH26N50P-ND | ¥89.73000 | 类似 |
| IXFH26N50P3 | IXYS | 146 | 238-IXFH26N50P3-ND | ¥88.49000 | 类似 |
| IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW50R250CPFKSA1-ND | ¥12.23650 | 类似 |
| IRFP360PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFP360PBF-ND | ¥64.59000 | 类似 |
| SIHG25N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 477 | SIHG25N50E-GE3-ND | ¥42.51000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 30 | ¥52.29667 | ¥1,568.90 |
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