IXFH17N80Q 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Vishay Siliconix
现货: 25
单价: ¥62.02000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥62.02000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥18.77256
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 518
单价: ¥40.77000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,112
单价: ¥58.63000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 501
单价: ¥55.99000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 568
单价: ¥59.79000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥45.90000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 495
单价: ¥108.25000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 481
单价: ¥50.86000
规格书
通孔 N 通道 800 V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 800 V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH17N80Q

DigiKey 零件编号
IXFH17N80Q-ND
制造商
制造商产品编号
IXFH17N80Q
描述
MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 800 V 17A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3600 pF @ 25 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
400W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
800 V
供应商器件封装
TO-247AD(IXFH)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 500mA,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRFPC50APBFVishay Siliconix25IRFPC50APBF-ND¥62.02000类似
IRFPC50PBFVishay Siliconix0IRFPC50PBF-ND¥62.02000类似
SIHG11N80E-GE3Vishay Siliconix0SIHG11N80E-GE3-ND¥18.77256类似
SPW11N80C3FKSA1Infineon Technologies518448-SPW11N80C3FKSA1-ND¥40.77000类似
SPW17N80C3FKSA1Infineon Technologies2,112SPW17N80C3FKSA1-ND¥58.63000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。
不可取消/不可退货