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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 104 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5080 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 360W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 100 V | 供应商器件封装 TO-263AA（IXFA） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
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替代品 (15)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| SQM120N10-09_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SQM120N10-09_GE3-ND | ¥14.28953 | 直接 |
| SQM120P10_10M1LGE3 | Vishay Siliconix | 0 | SQM120P10_10M1LGE3CT-ND | ¥42.34000 | 直接 |
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 4,084 | 1727-1062-1-ND | ¥32.91000 | 类似 |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | ¥10.77575 | 类似 |
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | 680 | 31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND | ¥20.84000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 300 | ¥26.16820 | ¥7,850.46 |
