类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 41 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 785 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 83W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 800 V	供应商器件封装 PG-TO252-3-11
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Ta）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 SPD06N
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 900 毫欧 @ 3.8A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SPD06N80C3ATMA1	Infineon Technologies	5,862	SPD06N80C3ATMA1CT-ND	¥20.43000	直接
FCD850N80Z	onsemi	17,987	488-FCD850N80ZCT-ND	¥29.52000	类似
STD7N60M2	STMicroelectronics	7,079	497-13941-1-ND	¥16.29000	类似
STD7N80K5	STMicroelectronics	10,947	497-13642-1-ND	¥23.40000	类似
STD7NM60N	STMicroelectronics	10,966	497-11042-1-ND	¥25.72000	类似

SPD06N80C3BTMA1