Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 24.7 CNY
Availability: InStock

ISC104N12LM6ATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	ISC104N12LM6ATMA1
描述	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
原厂标准交货期	29 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 120 V 11A（Ta），63A（Tc） 3W（Ta），94W（Tc） PG-TDSON-8
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 6
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.4 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1800 pF @ 60 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta），94W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	ISC104

ISC104N12LM6ATMA1