类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.3 毫欧 @ 15A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 50 nC @ 4.5 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4380 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 140W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 161A（Tc）	供应商器件封装 TO-252AA (DPAK)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD90N03S4L03ATMA1	Infineon Technologies	1,112	IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND	¥18.77000	类似
IRLR7843TRPBF	Infineon Technologies	17,130	IRLR7843PBFCT-ND	¥14.89000	参数等效
AOD508	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	19,247	785-1355-1-ND	¥12.24000	类似
NP90N03VHG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP90N03VHG-E1-AY-ND	¥8.11492	类似

IRLR7843PBF