类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17.5 毫欧 @ 25A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1470 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），94W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 49A（Tc）	供应商器件封装 D2PAK
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRFZ44SPBF	Vishay Siliconix	785	IRFZ44SPBF-ND	¥30.85000	类似
IRFZ44STRLPBF	Vishay Siliconix	0	742-IRFZ44STRLPBFCT-ND	¥30.85000	类似
PSMN015-60BS,118	Nexperia USA Inc.	5,986	1727-7207-1-ND	¥18.03000	类似
STB55NF06LT4	STMicroelectronics	1,433	497-7462-1-ND	¥19.19000	类似
STB55NF06T4	STMicroelectronics	828	497-6553-1-ND	¥27.95000	类似

IRFZ44NSTRRPBF