IRFS4228TRLPBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 33A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 107 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±30V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4530 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 330W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 150 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 83A（Tc）	供应商器件封装 D2PAK
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

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