IRFR120NTRRPBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 210 毫欧 @ 5.6A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 25 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 330 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 48W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-252AA (DPAK)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.4A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

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