Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 9.74 CNY
Availability: InStock

IRFHM3911TRPBF
DigiKey 零件编号	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - 卷带（TR） 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - 剪切带（CT） 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IRFHM3911TRPBF
描述	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
原厂标准交货期	35 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 3.2A（Ta），20A（Tc） 2.8W（Ta），29W（Tc） 8-PQFN（3x3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IRFHM3911TRPBF 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.2A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	115 毫欧 @ 6.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	760 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），29W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（3x3）
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	IRFHM3911

IRFHM3911TRPBF