IRFB3256PBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

IRFB3256PBF 已经过时且不再制造。

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 195 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6600 pF @ 48 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 300W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 TO-220AB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRFB3256
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 75A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP032N06N3GXKSA1	Infineon Technologies	73	IPP032N06N3GXKSA1-ND	¥31.10000	MFR Recommended
AOT264L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1414-5-ND	¥11.76787	类似
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