Name: IRF8010PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010PBF-ND
Price: 29.69 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 120 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3830 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 260W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-220AB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRF8010
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 45A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP180N10N3GXKSA1	Infineon Technologies	738	448-IPP180N10N3GXKSA1-ND	¥18.86000	类似
IRFB4410ZPBF	Infineon Technologies	3,330	448-IRFB4410ZPBF-ND	¥22.00000	类似
CSD19534KCS	Texas Instruments	1,026	296-38676-5-ND	¥18.03000	类似
DMNH10H028SCT	Diodes Incorporated	68	DMNH10H028SCTDI-5-ND	¥18.36000	类似
IXTP80N10T	IXYS	9,899	IXTP80N10T-ND	¥43.25000	类似

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