Name: IRF2807PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF2807PBF-ND
Price: 23.57 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 160 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3820 pF @ 25 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 230W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 75 V	供应商器件封装 TO-220AB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 82A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRF2807
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 43A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DIT095N08	Diotec Semiconductor	983	4878-DIT095N08-ND	¥16.95000	类似
DMT6009LCT	Diodes Incorporated	1,513	DMT6009LCTDI-5-ND	¥12.57000	类似
STP140N8F7	STMicroelectronics	902	497-STP140N8F7-ND	¥27.21000	类似
STP140NF75	STMicroelectronics	447	497-5894-5-ND	¥38.54000	类似
STP75NF75	STMicroelectronics	240	497-2788-5-ND	¥34.40000	类似

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