Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 33.08 CNY
Availability: OutOfStock

表面贴装型 N 通道 25 V 41A（Ta），298A（Tc） 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-TTFN-9-1

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQE006NE2LM5CGATMA1
描述	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 41A（Ta），298A（Tc） 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-TTFN-9-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQE006NE2LM5CGATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 82.1 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™ 5	Vgs（最大值） ±16V
包装卷带（TR）剪切带（CT）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5453 pF @ 12 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），89W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 25 V	供应商器件封装 PG-TTFN-9-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 41A（Ta），298A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.65 毫欧 @ 20A，10V	基本产品编号 IQE006