Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 39.61 CNY
Availability: OutOfStock

表面贴装型 N 通道 25 V 75A（Ta），789A（Tc） 2.5W（Ta），278W（Tc） PG-WHSON-8-U02

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IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQDH29NE2LM5SCATMA1
描述	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 75A（Ta），789A（Tc） 2.5W（Ta），278W（Tc） PG-WHSON-8-U02
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQDH29NE2LM5SCATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.29 毫欧 @ 50A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1.448mA
系列 OptiMOS™ 5	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 4.5 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±16V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 17000 pF @ 12 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），278W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 25 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A（Ta），789A（Tc）	供应商器件封装 PG-WHSON-8-U02
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerWDFN