IPW65R099C6FKSA1 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 429
单价: ¥134.55000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,646
单价: ¥97.92000
规格书

类似


onsemi
现货: 17
单价: ¥91.22000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥122.77307
规格书

类似


IXYS
现货: 203
单价: ¥83.78000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥34.94702
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 600
单价: ¥55.99000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥62.93000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 245
单价: ¥69.39000
规格书
通孔 N 通道 650 V 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW65R099C6FKSA1

DigiKey 零件编号
IPW65R099C6FKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW65R099C6FKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW65R099C6FKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.2mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
127 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2780 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 12.8A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (9)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STW65N80K5STMicroelectronics429497-16333-5-ND¥134.55000直接
FCH077N65F-F085onsemi1,646FCH077N65F-F085-ND¥97.92000类似
FCH077N65F-F155onsemi17FCH077N65F-F155-ND¥91.22000类似
IXFX48N60PIXYS0IXFX48N60P-ND¥122.77307类似
IXTH34N65X2IXYS203IXTH34N65X2-ND¥83.78000类似
现货: 0
申请库存通知
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥66.24000¥66.24
30¥38.23767¥1,147.13
120¥32.08692¥3,850.43
510¥27.58043¥14,066.02
1,020¥25.95125¥26,470.28
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。