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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPW65R080CFDFKSA2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IPW65R080CFDFKSA2-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPW65R080CFDFKSA2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 |
原厂标准交货期 | 27 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 43.3A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPW65R080CFDFKSA2 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 17.6A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1.8mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 167 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5030 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 391W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 358
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数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥75.34000 | ¥75.34 |
| 30 | ¥43.96333 | ¥1,318.90 |
| 120 | ¥37.07508 | ¥4,449.01 |
| 510 | ¥32.02839 | ¥16,334.48 |
| 1,020 | ¥30.77987 | ¥31,395.47 |
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