IPW60R199CPFKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 678
单价: ¥38.70000
规格书

类似


onsemi
现货: 381
单价: ¥61.78000
规格书

类似


IXYS
现货: 5,042
单价: ¥76.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 357
单价: ¥113.05000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥319.25080
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥24.58008
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 50
单价: ¥33.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 596
单价: ¥31.01000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 323
单价: ¥69.05000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 551
单价: ¥42.09000
规格书
通孔 N 通道 600 V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW60R199CPFKSA1

DigiKey 零件编号
IPW60R199CPFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW60R199CPFKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW60R199CPFKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 660µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
43 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1520 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
139W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
199 毫欧 @ 9.9A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STW24N60DM2STMicroelectronics678497-14582-5-ND¥38.70000直接
FCH190N65F-F155onsemi381FCH190N65F-F155-ND¥61.78000类似
IXFH22N65X2IXYS5,042238-IXFH22N65X2-ND¥76.00000类似
IXFH50N60P3IXYS357238-IXFH50N60P3-ND¥113.05000类似
IXFX44N80Q3IXYS0IXFX44N80Q3-ND¥319.25080类似
按订单供货
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
240¥18.29633¥4,391.12
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。