Name: IPT60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 110.65 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPT60R022S7XTMA1
DigiKey 零件编号	448-IPT60R022S7XTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPT60R022S7XTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPT60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPT60R022S7XTMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 23A（Tc） 390W（Tc） PG-HSOF-8-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPT60R022S7XTMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.44mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 150 nC @ 12 V
系列 CoolMOS™S7	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5639 pF @ 300 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 390W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-HSOF-8-2
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Tc）	封装/外壳 8-PowerSFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V	基本产品编号 IPT60R022
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 22 毫欧 @ 23A，12V